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Diodes完成对TI晶圆工厂的收购

Diodes在4月1日在官网宣布,其已完成对德州仪器位于苏格兰Greenock的晶圆制造厂和运营部门(GFAB)的收购。

收购完成后,Diodes将整合Greenock工厂和该晶圆厂业务,包括将所有GFAB员工转移到Diodes。

此外,Diodes还向18位支持GFAB运营的承包商提供永久性就业机会。作为多年晶圆供应协议的一部分,当TI转移到其他晶圆厂时,Diodes将继续从GFAB制造TI的模拟产品。GFAB厂房产能高达每月21666—256000片8英寸等效晶圆,具体产能取决于产品组合。

Diodes的总裁兼首席执行官Keh-Shew Lu博士表示,GFAB的收购与Diodes的战略增长计划完全一致,特别是在汽车和工业市场的扩张,预计GFAB将在实现公司收入和利润增长目标方面发挥重要作用。

随着交易的结束,Diodes现在将注意力转向在GFAB积极推进新的晶圆制造工艺和功能以支持Diodes的战略计划。

据了解,GFAB是National Semiconductor在美国之外的首个FAB,也是苏格兰Silicon Glen地区早期晶圆厂之一,该工厂于1970年投产、1987年重建,2009年改建为8英寸/6英寸兼容的生产线,2011年德州仪器收购National Semiconductor时将GFAB收入囊中。

早在2016年初,已经有媒体报道称,德州仪器曾表示未来三年内有计划关闭GFAB,其GFAB逐步将产品转移到德国、日本和美国的8英寸晶圆厂。

资料显示,Diodes主要提供分立器件、逻辑器件、模拟和混合信号芯片等产品,包括二极管,整流器、晶体管、MOSFET等。

此次收购完成后,Diodes在英国拥有两座晶圆厂(6英寸和8英寸),在中国上海拥有两座晶圆厂(6英寸和8英寸)。

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Diodes全新通用高速交叉切换器问市 支持高达 20Gbps讯号绕送

 

Diodes 公司 在举行的「USB 开发人员日」活动上,宣布推出适用于高速差分及串行讯号的 PI3DBS16222 交叉切换器。该产品是一款几乎通用的解决方案,其针对最新通讯协议经过优化处理,可以围绕高效能电子设备传送高达 20Gbps 的高速讯号,应用范围从个人计算机、行动装置到网络切换器背板及高阶测试工具等设备。

随着 PCIe® 4.0、ThunderboltTM 3、SuperSpeed USB 20Gbps 和 10 GBase-KR 等高速序列及差分通讯协议的使用逐渐增加,市场上越来越需要能够围着 PCB 板切换及绕送讯号的更高效解决方案,且这些解决方案应同时能在接头与集成电路间运作。这些讯号目前的传输速率高达 20Gbps,因此任何解决方案都必须在不影响讯号完整性,或是造成延迟或错误的情况下作业。

PI3DBS16222 是一款具备直通模式的 4 信道差分交叉切换器,采用 2 x 2 拓扑结构配置。该产品的输入端有四个差分配对,而输出端也有四个配对,会藉由单一控制讯号在两个输出配对间切换每个输入配对,并透过独立的致能输入提供高阻抗输入/输出隔离功能。

USB 开发者论坛 (USB Implementers Forum) 总裁暨营运长 Jeff Ravencraft 表示:「USB Type-C® 接口的采用率迅速飙涨,促进业界朝着支持 SuperSpeed USB 20Gbps 的产品发展。在 USB 开发人员为新的 SuperSpeed USB 20Gbps 产品应用设计高速讯号路径时,像 PI3DBS16222 这类的解决方案会是相当宝贵的工具。」

Diodes 公司营销部分资深主管 Kay Annamalai 表示:「Diodes 公司非常自豪能够透过最新的 4 通道差分交叉切换器,进一步加强我们领先业界的 20Gbps 讯号多任务器系列。我们的交叉切换器能在 13GHz 的极高 -3dB 带宽下运作,因而成为高速讯号绕送适用的解决方案,可满足行动运算、网络和服务器/储存产品应用对这类讯号不断攀升的需求。」

PI3DBS16222 作业时的速率可达 20Gbps,且拥有出色的讯号完整性,能因应现今所有主流通讯协议的标准。为实现高效能设计,Diodes 公司运用绝缘层上覆硅 (SOI) 技术来大幅减少装置内部寄生电容产生的影响,直接让效能有所改善。

该装置提供 2.5mm x 4.5mm 的 TQFN 封装,以及 2mm x 4mm 的 X1QFN 封装选项。体积小巧的 PI3DBS16222 相当适合空间有限的行动产品应用。

PI3DBS16222XEAEX (X1QFN) 与 PI3DBS16222ZLEX (TQFN) 均已上市,两款的供应数量皆为 5,000 个为单位。

 

Diodes全新通用高速交叉切换器问市 支持高达 20Gbps讯号绕送

 

Diodes 公司 在举行的「USB 开发人员日」活动上,宣布推出适用于高速差分及串行讯号的 PI3DBS16222 交叉切换器。该产品是一款几乎通用的解决方案,其针对最新通讯协议经过优化处理,可以围绕高效能电子设备传送高达 20Gbps 的高速讯号,应用范围从个人计算机、行动装置到网络切换器背板及高阶测试工具等设备。

随着 PCIe® 4.0、ThunderboltTM 3、SuperSpeed USB 20Gbps 和 10 GBase-KR 等高速序列及差分通讯协议的使用逐渐增加,市场上越来越需要能够围着 PCB 板切换及绕送讯号的更高效解决方案,且这些解决方案应同时能在接头与集成电路间运作。这些讯号目前的传输速率高达 20Gbps,因此任何解决方案都必须在不影响讯号完整性,或是造成延迟或错误的情况下作业。

PI3DBS16222 是一款具备直通模式的 4 信道差分交叉切换器,采用 2 x 2 拓扑结构配置。该产品的输入端有四个差分配对,而输出端也有四个配对,会藉由单一控制讯号在两个输出配对间切换每个输入配对,并透过独立的致能输入提供高阻抗输入/输出隔离功能。

USB 开发者论坛 (USB Implementers Forum) 总裁暨营运长 Jeff Ravencraft 表示:「USB Type-C® 接口的采用率迅速飙涨,促进业界朝着支持 SuperSpeed USB 20Gbps 的产品发展。在 USB 开发人员为新的 SuperSpeed USB 20Gbps 产品应用设计高速讯号路径时,像 PI3DBS16222 这类的解决方案会是相当宝贵的工具。」

Diodes 公司营销部分资深主管 Kay Annamalai 表示:「Diodes 公司非常自豪能够透过最新的 4 通道差分交叉切换器,进一步加强我们领先业界的 20Gbps 讯号多任务器系列。我们的交叉切换器能在 13GHz 的极高 -3dB 带宽下运作,因而成为高速讯号绕送适用的解决方案,可满足行动运算、网络和服务器/储存产品应用对这类讯号不断攀升的需求。」

PI3DBS16222 作业时的速率可达 20Gbps,且拥有出色的讯号完整性,能因应现今所有主流通讯协议的标准。为实现高效能设计,Diodes 公司运用绝缘层上覆硅 (SOI) 技术来大幅减少装置内部寄生电容产生的影响,直接让效能有所改善。

该装置提供 2.5mm x 4.5mm 的 TQFN 封装,以及 2mm x 4mm 的 X1QFN 封装选项。体积小巧的 PI3DBS16222 相当适合空间有限的行动产品应用。

PI3DBS16222XEAEX (X1QFN) 与 PI3DBS16222ZLEX (TQFN) 均已上市,两款的供应数量皆为 5,000 个为单位。