本篇文章给大家谈谈东芝M302笔记本电脑，以及东芝m301升级的知识点，希望对各位有所帮助，不要忘了收藏本站喔。
文章详情介绍：
速度够用又万能——TOSHIBA 东芝 M302 microSDXC UHS-I 128GB
在当下的条件大环境下，TF卡（也叫MicroSD卡）貌似已经失去了原来的灵光，尤其是手
机厂商们纷纷加大计量的增加自己的手机ROM，相信过不了两年就会有1T的ROM出现。但
是它还是我个人最喜欢的万金油，在手头设备不足或者存储器都满的时候，TF卡的出现就
会很大程度解决这种情况，而作为存储类老牌厂商的东芝不时会在存储卡领域推出精品，今
天我们带来的是TOSHIBA 东芝 M302 microSDXC UHS-I 128GB版本。
包装：
包装方面和我们日常购买的存储卡差不多，都是一个透明卡槽在中间，外周由一次性的纸壳
包住。正面包装上有几个特点需要着重说一下：90MB/s的最大读取速度；支持4K拍摄；防
水性能；耐X射线和耐冲击。这里再解释下几个名词:
SDXC(SD eXtended Capacity，中文名：容量扩大化的安全存储卡)，是SD联盟推出的新一
代SD存储卡标准，旨在大幅提高内存卡界面速度及存储容量。SDXC规范仍然基于NAND闪
存技术，这主要是由于NAND闪存拥有增大页容量的功能(NAND闪存的读取写入的容量单位
都是”页”)， 因为NAND闪存的工作原理是闪存页的容量越大，性能就越高，这样也可以
让SDXC更容易提升性能。
UHS-I: UHS-I表示支持UHS（Ultra High Speed，超高速）接口，其带宽达到104MB/s。而
我们这款TOSHIBA 东芝 M302 microSDXC UHS-I 128GB则为Speed Class3级别，可以支持
4k和2K的视频录制，下附表格。
而Class10 则是SD2.0的规范中对于SD卡的性能上分为如下若干个等级,不同等级能分别
满足不同的应用要求：
Class 0：包括低于Class 2和未标注Speed Class的情况；
Class 2：能满足观看普通MPEG4 MPEG2 的电影、SDTV、数码摄像机拍摄；
Class 4：可以流畅播放高清电视（HDTV），数码相机连拍等需求；
Class 6：满足单反相机连拍和专业设备的使用要求；
Class 10：满足更高速率要求的存储需要。
四角上的标识和二维码和防伪码。
背面是主要规格，厂商信息和相关认证。
由于没有设计易撕口，而标识了剪刀线，所以还是直接上剪刀比较靠谱，这一点上还是设计。
一个易撕但是不损害主体的易撕口比较好。
打开后才能看到里面的质保说明，建议各位购买后保留发票和这张卡片以方便售后。
最后就是由塑料壳保护的TOSHIBA 东芝 M302 microSDXC UHS-I 128GB了。不过还是需要吐
槽的是并没有设计易撕口或者卡扣打开的方式，还是需要上剪刀，有些不方便。
最后来看一看TOSHIBA 东芝 M302 microSDXC UHS-I 128GB 的主体。各位肯定都对TF卡很
熟悉了。上面标识了TOSHIBA 的东芝logo、EXCERIA的系列红标 microSDXC UHS-I Speed
Class3 标识和128GB的容量标识。
实际使用和测试：
讲真，这样的一款有着microSDXC UHS-I Speed Class3标识的SDXC卡根本不需要测试性能，
因为他完全满足了我们日常使用中使用到的最大码率，也就是上文提到的4K的视频记录，
实际测试写入轻松上30MB/s 而读取速度轻松80 MB/s。
这时候我就想换个思路了，看看他对相对不是很热门或者偏门的支持怎么样，再加上老手机，
别的品牌的卡套装在相机的性能又如何呢？
首先用读卡器接到一台只有USB2.0的老电脑上，而和一款某一线品牌的16GB的TF卡进行
对比，可以看到16G某品牌写入速度5MB/s &读取速度则在22MB/s 而在实际拷贝文件的测
试中写入速度也为5MB/s,传输3.42GB的电影需要11分45秒。
而反观我们的TOSHIBA 东芝 M302 microSDXC UHS-I 128GB，在USB2.0的限速下，还是跑
出了写入24MB/s & 31MB/s的成绩，十分优秀。而实际传输3.42GB的电影用时为2分24，
平均速度为24MB/s ，达到了碾压的级别。
然后我将他插入了ZTE中兴的几年前的千元机 M901C，这是一款中兴的低端机，应该不会对
很多的外接设备做优化，就看TOSHIBA 东芝 M302 microSDXC UHS-I 128GB的水平了。而结
果是令我满意的，除了在格式化的时候因为128GB的大容量稍显缓慢，（其实也是手机自己
就已经卡顿了）其实的使用，读取一切顺利，兼容性很赞。
再然后我拿来了一款TF卡转SD卡套，将TOSHIBA 东芝 M302 microSDXC UHS-I 128GB插入
卡套后插入SONY A7 ，用连拍和拍摄视频来测试稳定性和兼容性，结果也是很让我开心的。
在6M 的精细模式下，几乎可以肆无忌惮的连拍，笔者拍了100+也没有出现卡顿的情况。而
转换到RAW模式，可以达到上限的连拍25张RAW的照片，可以说不仅满足了应急的情况，
当作主力卡也是没问题的！而拍摄视频更是没得问题，丝毫没有卡顿的情况。
后来我又插入极路由3等各种品类的机器中，TOSHIBA 东芝 M302 microSDXC UHS-I 128GB
的兼容性表现令我惊叹，就没有出现兼容性的问题，无愧于一款旗舰产品！
总结：
如果你是一个性能控，而且希望能省心省事，128GB的容量也可以接受，那么TOSHIBA 东芝
M302 microSDXC UHS-I 128GB无疑是你的首选，因为他没有什么可以挑出的缺点，如果非
要吹毛求疵，那只能是不能免工具打开，但是这根本不是问题，就是产品本身，真是的是很
完美的一张 TF卡，无论你是用在手机做扩容、路由器做下载机、还是当作相机的备用卡，
这都是一张值得选购的产品。
IGBT管的检测与更换
一、IGBT 的识别
1．IGBT 的构成和特点
绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）由场效应管和大功率双极型三极管构成，IGBT 集场效应管的优点与大功率双极型三极管的大电流低导通电阻特性于一体，是极佳的高速高压半导体功率器件。它具有如下特点：一是电流密度大，是场效应管的数十倍；二是输入阻抗高，栅极驱动功率小，驱动电路简单；三是低导通电阻，在给定芯片尺寸和 U(BR)ceo 下，其导通电阻 Rce(on)不大于场效应管 RDS(on)的 10%；四是击穿电压高，安全工作区大，在瞬态功率较高时不容易损坏；五是开关速度快，关断时间短，耐压为 1～1.8kV 的 IGBT 的关断时间约为 1.2μs，而耐压为 600V 的 IGBT 的关断时间约为 0.2μs，仅为双极型三极管的 10%，接近于功率型场效应管，开关频率达到 100kHz，开关损耗仅为双极型三极管的 30%。因此，IGBT 克服了功率型场效应管在高电压、大电流下出现的导通电阻大、发热严重、输出功率下降的严重弊病。因此，IGBT 广泛应用在电磁炉内作为功率逆变的开关器件。它的实物外形和电路符号如图 2-87 所示。
IGBT 的 G 极和场效应管一样，是栅极或控制极；C 极和普通三极管一样，是集电极；E极是发射极。
2．IGBT 的主要参数
IGBT 的主要参数和大功率三极管基本相同，主要的参数是 U(BR)ceo、PCM、ICM 和 β。其中，U(BR)ceo是最高反压，表示 IGBT 的 C 极与 E 极之间的最高反向击穿电压；ICM是最大电流，表示 IGBT 的 C 极最大输出电流；PCM是最大耗散功率，表示 IGBT 的 C 极最大耗散功率；β 是 IGBT 的放大倍数。
二、IGBT 的检测
检测含阻尼管的 IGBT 时，它的 C、E 极间正向导通压降和二极管一样，如下图（a）所示；C、E 极间反向导通压降，以及其他极间的导通压降均为无穷大（显示溢出值 1），如下图（b）所示。而未含阻尼管的 IGBT，它的 3 个极间正、反向导通压降值都为无穷大。
三、IGBT 的更换
维修中，IGBT 的更换原则和三极管一样，也是要坚持“类别相同，特性相近”的原则。“类别相同”是指更换中应选相同品牌、相同型号的IGBT，即 N沟道管更换N沟道管，P 沟道管更换 P 沟道管；“特性相近”是指更换中应选参数、外形及引脚相同或相近的 IGBT。另外，采用有二极管（阻尼管）的 IGBT 更换没有阻尼管的 IGBT 时，应拆除电路板上的阻尼管；而采用没用阻尼管的 IGBT 代换有阻尼管的 IGBT 时，应在它的C、E 极的引脚上加装一只阻尼管。下面介绍常见的 IGBT 参数和更换方法。
GT40T101是东芝公司的产品，耐压为1500V，最大电流在25℃时为 80A，100℃时为40A，不含阻尼管，所以用它代换SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321、GT40T301 时需在它的C、E 极引脚上接1只15A/1 500V 以上的快恢复二极管作阻尼管。
GT40T301是东芝公司的产品，耐压为1500V，最大电流在 25℃时为 80A，100℃时为40A，内有阻尼管，可用该IGBT 代换SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321、GT40T101，在代换SGW25N120 和GT40T101 时应拆除原配套的阻尼管。
GT40Q321是东芝公司的产品，耐压为1200V，最大电流代换在25℃时为 42A，在100℃时为23A，内有阻尼管，可用该IGBT代换SGW25N120、SKW25N120，代换 SGW25N120时应拆除配套的阻尼管。
GT60M303是东芝公司的产品，耐压为900V，最大电流在25℃时为120A，在100℃时为60A，内有阻尼管。
SGW25N120 是西门子公司的产品，耐压为1200V，最大电流在25℃时为 46A，在100℃时为25A，内部不带阻尼管，所以采用它代换SKW25N120 时应该在它的C、E 极安装一只8A/1200V 以上的快恢复管作阻尼管。
SKW25N120 是西门子公司的产品，耐压为1200V，最大电流在25℃时为 46A，在100℃时为25A，内部带阻尼管，用该IGBT 代换SGW25N120 时应拆除原配套的阻尼管。